美国Hinds Instruments成立于1971年,基于先进的PEM偏振分析技术,研发和生产了光弹变调制器件和系统。这些器件和系统适用于测量各种参数,包括双折射,斯托克斯偏振测量,二向色性,旋光性及其他研究和工业测量的需要。该公司专注于研究室生产的核心技术模块,最终系统测试,校准和质量管理,确保高质量产品,以满足甚至超越客户的需要。 美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的光弹调制器(photoelastic modulators)生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变,调制速率为20~100kHz。光弹调制器(PEM)的作用就像一个“动态的波片”,可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差,从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即,光弹调制器(photoelastic modulators)通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化,同时光弹调制器(PEM)还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括: 非常大通光孔径(15到30mm,标准),同时保持很高的调制器频率 超大接受角度(市场角)范围(+/- 20°) 波长覆盖范围大(170nm~10um,FIR~THZ) 高损伤阈值 可精确控制相位延迟
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸,同样也使得光学头与磁场或真空兼容(当这些有需要的时候)。
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列: Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件,波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件,波长覆盖可见和红外(到中红外)频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料,材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 TABLE 1 | | | SPECTRAL REGION | SERIES | MATERIAL | Vacuum UV, UV | I | Lithium Fluoride | Vacuum UV to mid-IR | I,II | Calcium Fluoride | Vacuum UV to near-IR | I,II | Fused Silica | Mid-visible to mid-IR | II | Zinc Selenide | Near- to mid-IR | II | Silicon |
相对于Series II八角形光学元件,Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下,相位延迟量更少。在红外波段,这是一个缺点,但是在紫外波段,尤其是真空紫外,这则变成为了一个很大优点。 八角形(Series II)光学元件在给定的厚度下更加的有效率,因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量(例如:深紫外)或许会造成一些问题。 可选选项(规格和价格会因为客户需要而改变,详情询问昊量光电的工程师) 增透膜,Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上,窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 无干涉选项,Model NIO。这一项用于偏转光束路径,因此消除了调制器干涉 特殊频率,Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 特殊光学头/电学头电缆,Model SLHH 特殊调制头附件,Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 真空操作。PEM可用于真空环境,详情请询问Hinds 磁场兼容选项,Model MFC。光学头不含任何磁铁材料,用于强磁场中 基本指标 基本指标 Model | Optical Material | Nominal Frequency | Retardation Range | Useful Aperture1 | Quarter Wave | Half Wave | I/FS50 | Fused Silica | 50 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 16mm | I/FS20 | Fused Silica | 20 KHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 22mm | I/CF50 | Calcium Fluoride | 50 kHz | 130nm - 2μm | 130nm - 1μm | 16mm | II/FS20A | Fused Silica | 20 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 56mm | II/FS20B | Fused Silica | 20 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 56mm | II/FS42A | Fused Silica | 42 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 27mm | II/FS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 27mm | II/FS47A | Fused Silica | 47 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 24mm | II/FS47B | Fused Silica | 47 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 24mm | II/FS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 2.5μm | 400nm - 2.5μm | 13mm | II/IS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 3.5μm | 800nm - 2.5μm | 27mm | II/IS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 3.5μm | 400nm - 1.8μm | 27mm | II/CF57 | Calcium Fluoride | 57 kHz | 2μm - 8.5μm | 1μm - 5.5μm | 23mm | II/ZS37 | Zinc Selenide | 37 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 9μm | 19mm | II/ZS50 | Zinc Selenide | 50 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 10μm | 14mm | II/SI40 | Silicon | 40 kHz | FIR - THz | FIR - THz | 36mm | II/SI50 | Silicon | 50 KHz | FIR - THz | FIR - THz | 29mm |
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